Clemens Ostermaier: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (23)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Characterization of Plasma-Induced Damage of Selectively Recessed GaN/InAlN/AlN/GaN Heterostructures Using SiCl 4 and SF 6

Ostermaier, Clemens, Pozzovivo, Gianmauro, Basnar, Bernhard, Schrenk, Werner, Carlin, Jean-François, Gonschorek, Marcus, Grandjean, Nicolas, Vincze, Andrej, Tóth, Lajos, Pécz, Bela, Strasser, Gottfrie

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 615 KB

english, 2010

2

Relevance of Threading Dislocations for the Thermal Oxidation of GaN (0001)

Reiner, Maria, Koller, Christian, Pekoll, Kurt, Pietschnig, Rudolf, Ostermaier, Clemens

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 705 KB

english, 2015

3

Reliability investigation of the degradation of the surface passivation of InAlN/GaN HEMTs using a dual gate structure

Clemens Ostermaier, Peter Lagger, Mohammed Alomari, Patrick Herfurth, David Maier, Alexander Alexewicz, Marie-Antoinette di Forte-Poisson, Sylvain L. Delage, Gottfried Strasser, Dionyz Pogany, Erhard

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 575 KB

english, 2012

4

[IEEE 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2012.12.10-2012.12.13)] 2012 International Electron Devices Meeting - Towards understanding the origin of threshold voltage instability of AlGaN/GaN MIS-HEMTs

Lagger, Peter, Ostermaier, Clemens, Pobegen, Gregor, Pogany, Dionyz

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 878 KB

english, 2012

5

On the Origin of the Coss-Losses in Soft-Switching GaN-on-Si Power HEMTs

Guacci, Mattia, Heller, Morris, Neumayr, Dominik, Bortis, Dominik, Kolar, Johann W., Deboy, Gerald, Ostermaier, Clemens, Haberlen, Oliver

Журнал:

IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 14.75 MB

english, 2018

6

Study of Si implantation into Mg-doped GaN for MOSFETs

Clemens Ostermaier, Sang-Il Ahn, Kay Potzger, Manfred Helm, Jan Kuzmik, Dionyz Pogany, Gottfried Strasser, Jong-Ho Lee, Sung-Ho Hahm, Jung-Hee Lee

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 128 KB

english, 2010

7

Very Fast Dynamics of Threshold Voltage Drifts in GaN-Based MIS-HEMTs

Lagger, Peter, Schiffmann, Alexander, Pobegen, Gregor, Pogany, Dionyz, Ostermaier, Clemens

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 948 KB

english, 2013

8

Comprehensive Study of the Complex Dynamics of Forward Bias-Induced Threshold Voltage Drifts in GaN Based MIS-HEMTs by Stress/Recovery Experiments

Lagger, Peter, Reiner, Maria, Pogany, Dionyz, Ostermaier, Clemens

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.10 MB

english, 2014

9

Buffer-Related Degradation Aspects of Single and Double-Heterostructure Quantum Well InAlN/GaN High-Electron-Mobility Transistors

Kuzmik, Jan, Vitanov, Stanislav, Dua, Christian, Carlin, Jean-Francois, Ostermaier, Clemens, Alexewicz, Alexander, Strasser, Gottfried, Pogany, Dionyz, Gornik, Erich, Grandjean, Nicolas, Delage, Sylva

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 744 KB

english, 2012

10

Chemical understanding and utility of H 3 PO 4 etching of group-III- nitrides

Reiner, Maria, Reiss, Marcus, Brünig, Thorge, Knuuttila, Lauri, Pietschnig, Rudolf, Ostermaier, Clemens

Журнал:

physica status solidi (b)

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.39 MB

english, 2015

11

SPIE Proceedings [SPIE SPIE Sensing Technology + Applications - Baltimore, Maryland, USA (Monday 5 May 2014)] Sensors for Extreme Harsh Environments - Emerging GaN-based HEMTs for mechanical sensing within harsh environments

Senesky, Debbie G., Dekate, Sachin, Köck, Helmut, Chapin, Caitlin A., Ostermaier, Clemens, Häberlen, Oliver, Senesky, Debbie G.

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 461 KB

english, 2014

12

Enhanced Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor with p-GaN Back Barriers and Si Delta-Doped Layer

Lee, Hwa-Chul, Hyun, Sun-Young, Cho, Hyun-Ick, Ostermaier, Clemens, Kim, Ki-Won, Ahn, Sang-Il, Na, Kyoung-Il, Ha, Jong-Bong, Kwon, Dae-Hyuk, Hahn, Cheol-Koo, Hahm, Sung-Ho, Choi, Hyun-Chul, Lee, Jung-

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 650 KB

english, 2008

13

[ECS 216th ECS Meeting - Vienna, Austria (October 4 - October 9, 2009)] ECS Transactions - Atomic Layer Deposition of High-k Oxides on InAlN/GaN-based Materials

Abermann, Stephan, Ostermaier, Clemens, Pozzovivo, Gianmauro, Kuzmik, Jan, Bethge, Ole, Henkel, Christoph, Strasser, Gottfried, Pogany, Dionyz, Giesen, Christoph, Heuken, Michael, Alomari, Mohammed, K

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 357 KB

english, 2009

14

Tracking the Effect of Adatom Electronegativity on Systematically Modified AlGaN/GaN Schottky Interfaces

Reiner, Maria, Pietschnig, Rudolf, Ostermaier, Clemens

Журнал:

ACS Applied Materials & Interfaces

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 6.23 MB

english, 2015

15

[IEEE ESSDERC 2015 - 45th European Solid-State Device Research Conference - Graz, Austria (2015.9.14-2015.9.18)] 2015 45th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC) - On the fly characterization of charge trapping phenomena at GaN/dielectric and GaN/AlGaN/dielectric interfaces using impedance measurements

Stradiotto, Roberta, Pobegen, Gregor, Ostermaier, Clemens, Grasser, Tibor

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.06 MB

english, 2015

16

Characterization of charge trapping phenomena at III–N/dielectric interfaces

Stradiotto, Roberta, Pobegen, Gregor, Ostermaier, Clemens, Grasser, Tibor

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.56 MB

english, 2016

17

Through-layer XPS investigations of the Si 3 N 4 /AlGaN interface

Reiner, Maria, Denifl, Guenter, Stadtmueller, Michael, Pietschnig, Rudolf, Ostermaier, Clemens

Журнал:

physica status solidi (b)

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 786 KB

english, 2016

18

Characterization of Interface Defects With Distributed Activation Energies in GaN-Based MIS-HEMTs

Stradiotto, Roberta, Pobegen, Gregor, Ostermaier, Clemens, Waltl, Michael, Grill, Alexander, Grasser, Tibor

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.74 MB

english, 2017

19

The interplay of blocking properties with charge and potential redistribution in thin carbon-doped GaN on n-doped GaN layers

Koller, Christian, Pobegen, Gregor, Ostermaier, Clemens, Huber, Martin, Pogany, Dionyz

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 706 KB

english, 2017

20

Effect of Carbon Doping on Charging/Discharging Dynamics and Leakage Behavior of Carbon-Doped GaN

Koller, Christian, Pobegen, Gregor, Ostermaier, Clemens, Pogany, Dionyz

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.66 MB

english, 2018

21

Trap-Related Breakdown and Filamentary Conduction in Carbon Doped GaN

Koller, Christian, Pobegen, Gregor, Ostermaier, Clemens, Hecke, Gebhard, Neumann, Richard, Holzbauer, Martin, Strasser, Gottfried, Pogany, Dionyz

Журнал:

physica status solidi (b)

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.09 MB

english, 2019

22

[IEEE 2019 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW) - South Lake Tahoe, CA, USA (2019.10.13-2019.10.17)] 2019 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW) - Discussion Group III at IIRW 2019

Ostermaier, Clemens, Capasso, Cristiano

Рік:

2019

Файл:

PDF, 291 KB

2019

23

[IEEE 2019 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW) - South Lake Tahoe, CA, USA (2019.10.13-2019.10.17)] 2019 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW) - IIRW 2019 Discussion Group II: Reliability for Aerospace Applications

Scharlotta, Jean-Yean, Kotov, Alexander, Zambelli, Cristian, Guarin, Fernando, Puglisi, Francesco Maria, Ostermaier, Clemens, Bersuker, Gennadi, Tyagnoy, Stanislav, Young, Chadwing, Haase, Gaddi, Rzep

Рік:

2019

Файл:

PDF, 1.19 MB

2019